Ddr3 и ddr3l. разница между типами оперативной памяти

Kingston 4GB DDR3 PC3-10600

Этот модуль прекрасно подходит для ноутбуков среднего ценового сегмента. Он работает на частоте 1333 мегагерц, рабочее напряжение составляет 1,35 В. Это и DDR3, и DDR3L, разница между которыми не особо существенна, в одном флаконе. Объем данной оперативной памяти составляет 4 гигабайта, что вполне достаточно для работы и графических приложений. Мультимедиа тоже будет работать отлично. Этот модуль выглядит идеальным по соотношению «цена-качество».

Как обычно, Kingston радует пользователей быстрой и качественной оперативной памятью. Но не стоит забывать и о практичности. Дело в том, что эта оперативка стоит довольно прилично по сравнению с ее техническими характеристиками. Поэтому ее покупка представляется сомнительной с точки зрения практичности. Нужно дважды подумать перед тем, как покупать сей модуль памяти. А в остальном — это отличная и долговечная оперативка, коих мало на современном рынке.

Возможности DDR3

Возможности микросхем DDR3 SDRAM

• Предвыборка 8 слов на каждое обращение (Prefetch buffer)
• Функция асинхронного сброса с отдельным контактом
• Поддержка компенсации времени готовности на системном уровне
• Зеркальное расположение контактов, удобное для сборки модулей
• Выполнение CAS Write Latency за такт
• Встроенная терминация данных
• Встроенная калибровка ввода-вывода (мониторинг времени готовности и корректировка уровней)
• Автоматическая калибровка шины данных

Возможности модулей DIMM DDR3

• Последовательная топология управляющей шины (управление, команды, адреса) с внутримодульной терминацией
• Высокоточные резисторы в цепях калибровки
• Введен более компактный тип модулей VLP для использования в Blade-серверах

Существуют различные типы модулей: DIMM, UDIMM, RDIMM; SODIMM, mini RDIMM, MicroDIMM

Особенности памяти DDR3

Планки оперативной памяти бывают от 1 гигабайта до 16 гигабайт, а частота памяти может варьироваться от 100 до 300 МГц. Если говорить о шине, то от 400 до 120 МГц.

Более-менее нормальное значение частоты шины 1066 – 1600 МГц. Если она увеличивается, то и потребление энергии вместе с ней. Если частота будет 2400, то планки нагреются и будут очень горячими. Чтобы этого не было — устанавливается пассивное охлаждение.

Еще потребление энергии может возрасти, если будет разгоняться компьютер. Это происходит благодаря преобразованиям, используемым внутри планок DDR3 напряжения Vddr.

В структуре памяти этого вида находится 8 банков памяти, а строка ее чипа величиной 2048 байт. Это строение влечет за собой приличные тайминги в работе ОЗУ и снижает скорость переключения между чипами.

Настраиваем RAM в BIOS

Изменять можно основные характеристики оперативной памяти, то есть тактовую частоту, тайминги и напряжение. Все эти показатели взаимосвязаны. И поэтому к настройке оперативной памяти в БИОС нужно подходить теоретически подготовленным.

Способ 1: Award BIOS

Если на вашей системной плате установлена прошивка от Phoenix/Award, то алгоритм действий будет выглядеть примерно так, как указано ниже. Помните, что названия параметров могут незначительно отличаться.

1. Делаем перезагрузку ПК. Входим в БИОС с помощью сервисной клавиши или сочетания клавиш. Они бывают различные в зависимости от модели и версии «железа»: Del, Esc, F2 и так далее.
2. Нажимаем комбинацию Ctrl + F1 для входа в расширенные настройки. На открывшейся странице стрелками переходим в пункт «MB Intelligent Tweaker (M.I.T.)» и нажимаем Enter.

Можно осторожно увеличить напряжение тока, подаваемого на RAM, но не более чем на 0,15 вольта

Возвращаемся на главную страницу БИОС и выбираем параметр «Advanced Chipset Features».

Настройки закончены. Выходим из BIOS с сохранением изменений и запускаем любой специальный тест для проверки стабильности работы системы и RAM, например, в AIDA64.

При неудовлетворенности результатами настройки RAM повторите по вышеуказанному алгоритму.

Способ 2: AMI BIOS

Если БИОС на вашем компьютере от American Megatrends, то кардинально значительных отличий от Award не будет. Но на всякий случай вкратце рассмотрим этот случай.

1. Входим в BIOS, в главном меню нам нужен пункт «Advanced BIOS Features».

Покидаем BIOS и запускаем бенчмарк для проверки правильности наших действий. Делаем цикл несколько раз до достижения наилучшего результата.

Способ 3: UEFI BIOS

На большинстве современных материнских плат стоит UEFI BIOS с красивым и удобным интерфейсом, поддержкой русского языка и компьютерной мыши. Возможности по настройке RAM в такой прошивке очень широкие. Рассмотрим их подробно.

1. Заходим в БИОС, нажав Del или F2. Реже встречаются другие сервисные клавиши, узнать их можно в документации или из подсказки внизу экрана. Далее переходим в «Advanced Mode», нажав F7.

На странице расширенных настроек переходим на вкладку «Ai Tweaker», находим параметр «Memory Frequency» и в выпадающем окне выбираем желаемую тактовую частоту оперативной памяти.

Продвигаясь ниже по меню, видим строку «DRAM Timing Control» и нажав на нее, попадаем в раздел регулировки различных таймингов RAM. ПО умолчанию во всех полях стоит «Auto», но при желании можно попробовать поставить свои значения времени отклика.

Возвращаемся в меню «Ai Tweaker» и заходим в «DRAM Driving Control». Здесь можно попытаться чуть увеличить множители частоты RAM и ускорить её работу

Но делать это надо осознанно и осторожно

Опять возвращаемся на прошлую вкладку и далее наблюдаем параметр «DRAM Voltage», где можно изменять подаваемое на модули оперативной памяти напряжение электрического тока. Повышать вольтаж можно на минимальные значения и поэтапно.

Затем выходим в окно расширенных настроек и передвигаемся во вкладку «Advanced». Там посещаем «North Bridge», страницу северного моста материнской платы.

Здесь нас интересует строка «Memory Configuration», на которую и нажимаем.

В следующем окне можно изменить параметры конфигурации модулей оперативной памяти, установленных в ПК. Например, включить или выключить контроль и коррекцию ошибок (ECC) RAM, определить режим чередования банков оперативной памяти и так далее.

Закончив настройки, сохраняем внесенные изменения, покидаем BIOS и загрузив систему, проверяем работу RAM в любом специализированном тесте. Делаем выводы, исправляем ошибки повторной регулировкой параметров.

Как вы увидели, настройка оперативной памяти в БИОС вполне возможна для опытного пользователя. В принципе, в случае ваших некорректных действий на этом направлении компьютер просто не включится или прошивка сама сбросит ошибочные значения

Но осторожность и чувство меры не помешает. И помните, что износ модулей RAM при увеличенных показателях соответственно ускоряется

Основные характеристики оперативной памяти (ее объем, частота, принадлежность к одному из поколений) могут быть дополнены еще одним важнейшим параметром – таймингами. Что они представляют собой? Можно ли их изменять в настройках BIOS? Как это делать наиболее корректным, с точки зрения стабильной работы компьютера, образом?

Особенности памяти DDR3

Планки оперативной памяти бывают от 1 гигабайта до 16 гигабайт, а частота памяти может варьироваться от 100 до 300 МГц. Если говорить о шине, то от 400 до 120 МГц.

Более-менее нормальное значение частоты шины 1066 – 1600 МГц. Если она увеличивается, то и потребление энергии вместе с ней. Если частота будет 2400, то планки нагреются и будут очень горячими. Чтобы этого не было — устанавливается пассивное охлаждение.

Еще потребление энергии может возрасти, если будет разгоняться компьютер. Это происходит благодаря преобразованиям, используемым внутри планок DDR3 напряжения Vddr.

В структуре памяти этого вида находится 8 банков памяти, а строка ее чипа величиной 2048 байт. Это строение влечет за собой приличные тайминги в работе ОЗУ и снижает скорость переключения между чипами.

Особенности оперативной памяти DDR3L

По своей конструкции планки оперативной памяти DDR3L аналогичны DDR3. Они имеют те же 240 контактов, габаритные размеры одинаковые за исключением высоты она равна 28 – 32,5 мм против 30,8 мм у DDR3. Подобная разница обуславливается наличием радиаторов в зависимости от модели и фирмы производителя устройства.

Экономия энергии DDR3L составляет 15% в сравнении с оперативной памятью DDR3

Оснащение оперативной памяти DDR3L системой пассивного охлаждения предусматривает возможность ее разгона и увеличения производительности за счет увеличения энергопотребления. Подобное решение позволяет эффективно выполнять отвод и рассеивание обильно выделяемой тепловой энергии для и предотвращения перегрева и преждевременного выхода из строя модуля памяти. Размеры ОЗУ, устанавливаемые в ноутбуки, сопоставимы со стандартными платами DDR3. Большая часть подобных модулей памяти на компьютерном рынке представлена в исполнении с отсутствием радиаторов охлаждения. Подобное решение сводится к тому, что данный класс ПК малопригоден к модернизации и разгону.

Индекс «L» в маркировки ОЗУ DDR3L означает Low – сниженное энергопотребление. Данная модификация оперативной памяти в сравнении с DDR3 нуждается в источнике питания, напряжение которого составляет 1,35 В. Данная модернизация приводит к сокращению энергопотребления на 10 — 15% в сравнении с DDR3 и до 40 % относительно DDR2, снижению величины нагрева устройства. То есть уменьшенное выделение тепла предусматривает возможность отказа от пассивного охлаждения и приводит к сокращению таймингов, повышению производительности и стабильности в работе устройства. Остальные технические характеристики оперативной памяти типа DDR3L сопоставимы с ее «прародителем» DDR3.

Совместимость и взаимозаменяемость DDR3 на DDR3L может осуществляться только в обратном порядке. Поскольку установка ОЗУ DDR3 в слот под оперативную память DDR3L приведет к не совместимости по электрическим параметрам и ее запуск не осуществится. Обратная замена возможна, но повышенное значение напряжения под DDR3 может привести к нагреву платы оперативной памяти DDR3L.

Конструкция DDR

Прежде чем определять различия между DDR3 и DDR3L следует ознакомиться с конструкцией ОЗУ типа DDR. Оперативная память собрана на форм-факторе своего предшественника DIMM. Платформу оснастили микросхемами, которые собираются в корпусах TSOP BGA и транзисторов, благодаря чему передача информации осуществлялась как по фронту, так и спаду. Осуществление двойной передачи данных за один такт стало возможным за счет реализации в компьютерной архитектуре технологии 2n Prefetch.

От характеристик оперативной памяти зависит производительность ПК

Развитие компьютерных технологий и внедрение в производство инновационных привело к тому, что микросхемы для модуля оперативного запоминающего устройства типа DDR3 стали изготавливаться только в корпусах BGA. Это же способствовало модернизации транзисторов, и появились новые модели с двойным затвором Dual-gate. Применения данной технологии позволило сократить величину токов утечки и повысить производительность ОЗУ. Так в ходе своего развития энергопотребление блока памяти снижалось: DDR – 2,6 В, DDR2 – 1,8 В и DDR3 – 1,5 В.

История развития DDR4

Разработкой ОЗУ четвертого поколения компания JEDEK занялась еще в далеком 2005 году, когда самой современной модификацией была DDR2. Инженеры компании уже в то время осознали, что второе поколение оперативной памяти не сможет отвечать требованиям, стремительно развивающимся процессорам и остальным комплектующим ПК. Даже анонсированный выход ОЗУ третьего поколения не сможет в полной мере справиться с поставленной задачей. Для решения проблемы не достаточно простого увлечения скорости обработки данных как это было сделано в DDR3. Необходимо учитывать такие параметры как энергопотребление и объем, которые влияют на пропускную способность устройства.

В 2020 году с появлением на рынке платформ Socket LGA1151 пользователям ПК представилась возможность произвести сравнительный анализ ОЗУ третьего и четвертого поколения в одинаковых условиях.

Не все материнские платы поддерживают оперативную память DDR4

Переход на новый стандарт неизбежен

Постепенно проникновение памяти DDR5 на ПК-рынок началось еще в октябре 2020 г., когда компания SK Hynix запустила производство первых в мире микросхем этого класса. Ее модули поддерживают скорость передачи данных от 4800 до 5600 Мбит/с на один контакт, и это в 1,8 раз выше в сравнении с DDR4, не говоря о DDR3. Помимо этого, рабочее напряжение для памяти DDR5 составляет 1,1 В против 1,2 В у DDR4, что приводит к снижению ее энергопотребления на 20% на фоне предыдущего поколения. Для сравнения, память DDR3 потребляет 1,575 В, а ее модификации DDR3L и DDR3U – 1,35 В и 1,25 В соответственно. К слову, у памяти DDR4, в отличие от DDR3, нет модификаций с пониженным вольтажом.

DDR3, как и DDR2 вместе с более древними стандартами, почти ушли с рынка

В мобильном сегменте DDR5 появилась еще раньше – модификация этой памяти LPDDR (Low-Power DDR) для портативных устройств встречается в смартфонах, вышедших еще в самом начале 2020 г. Для примера, такие чипы используются во флагманских Samsung Galaxy S20 и Xiaomi Mi 10.

Как пандемия изменила подходы к организации рабочего пространства
Бизнес

Однако именно массовый переход ПК-рынка на DDR5 начнется, считают в TrendForce, только в 2022 г. На момент публикации материала ни Intel, ни AMD не предлагали поддержку нового стандарта памяти в своих процессорах – Intel, к примеру, собиралась интегрировать ее в Tiger Lake-H, но позже решила, что она появится лишь в семействе Alder Lake – такое название, как сообщал CNews, получили процессоры Core 12 поколения. AMD начнет переход на DDR5 в том же 2022 г.

DDR5 «выстрелит» в 2022 году

В итоге к концу 2021 г. доля DDR5-памяти в компьютерном сегменте составит не более 10%, так что о массовости говорить пока действительно не приходится. В сфере серверов переход на нее будет происходить немного быстрее – в конце 2021 г. ее доля дойдет максимум до 15%. В то же время LPDDR5 в мобильном сегменте отвоюет себе до 30%.

Разное энергопотребление

Представим, что у вас есть плашки одного типа, но разной спецификации. Речь идет об L-памяти. Это доработанные модификации с пониженным энергопотреблением, которые чаще всего выпускаются для ноутбуков. Яркий представитель этого класса – DDR3L. Для ее питания потребуется 1.35В, в то время как классическому модулю требуется 1.5В. При установке этих модулей одновременно материнская плата автоматически понизит показатель до меньшего значения и обычный DDR3 не дополучит энергии, что приведет к отсутствию функциональности. Еще один нюанс – на некоторых платах Intel Skylake S поддерживается только L-память. Если вы собираетесь приобретать процессор и плату из этой линейки – будьте внимательны.

DDR 2 и DDR 3

Основные отличия DDR 2 и DDR 3, сводятся к следующему:

• Главной отличительной особенностью двух этих стандартов памяти, является то, что они имеют совершенно разные слоты и ввиду их наличия, является невозможным совместить их друг с другом.
• DDR 3, располагает намного большей тактовой частотой. В новой версии она составляет 1600 МГц, а в предыдущей — всего 800 МГ.
• В отличие от своей предыдущей версии, DDR3, имеет возможность похвастаться наличием намного большей пропускной способностью и гораздо меньшим энергопотреблением.

Действительно, в некоторых ситуациях совершенно не уместно заменять старенький DDR2, ведь в преимущественном большинстве случаев, особенно учитывая то, как значимая часть пользователей ПК, проводит свой досуг, хватит и его. В то самое время, не следовало бы забывать о том, что DDR2 и DDR3 — это совершенно разные типы оперативной памяти и ввиду наличия настолько большого количества отличительных особенностей, совершенно глупо путать их между собой. Кстати говоря, сейчас появился стандарт памяти DDR4, который также, как и все его былые аналоги, будет иметь целый перечень всевозможных отличий. При этом, стоить он будет гораздо дороже!

Hi-techКомментировать

Crucial 4GB DDR3 PC3-12800

Еще один бюджетный модуль оперативной памяти стандарта 3L. Его рабочая частота составляет 1600 мегагерц. Рабочее напряжение — 1,35 В. Это стандартно для энергоэффективной памяти. Более ничем выдающимся этот модуль памяти не отличается. Вот только в двухканальном режиме он работает гораздо лучше своих предшественников. Два таких модуля способны заметно поднять производительность любого лэптопа. И в этом их главная заслуга. Стоит эта оперативная память недорого. Поэтому она и является самой распространенной.

Это легендарный производитель модулей оперативной памяти. Все помнят его высокопроизводительные модели для геймерских компьютеров. Но и в бюджетном сегменте Crucial не ударили в грязь лицом

Модули получились производительными, надежными и энергоэффективными, что немаловажно для владельцев ноутбуков. Приятно, что легендарный производитель, наконец, развернулся лицом к любителям лэптопов

Описание

В свое время появление оперативной памяти типа DDR2 вызвало настоящий фурор среди любителей компьютеров. По сравнению с DDR новый вид ОЗУ работал намного быстрее. Как и у первого поколения DDR, DDR2 передает данные по обоим срезам. Вся разница лишь в том, что DDR2 имеет намного более быструю шину, передача данных на которую может совершаться одновременно из четырех мест. Таким образом, скорость DDR2 как минимум в два раза превосходила скорость оперативной памяти предыдущего поколения. Также DDR2 отличается скромным энергопотреблением и очень быстрым охлаждением. Однако все эти показатели казались невероятными только до появления на рынке следующего поколения оперативной памяти.

Казалось, что ничего значительно более современного и эффективного, чем DDR2, не придумают очень долго. Но вскоре было представлено новое поколение оперативной памяти – DDR3. Благодаря снижению напряжения питания ячеек, создателям нового типа ОЗУ удалось снизить ее энергопотребление аж на 15 процентов, что, учитывая впечатляющие показатели DDR2, можно было назвать настоящим прорывом. Более того, существуют модификации DDR3, помеченные буквой L, которые отличаются еще большим энергосбережением. Пропуская способность у DDR3 значительно превосходит аналогичный показатель предыдущих моделей памяти и составляет до 21300 МБ/с. Впрочем, уже сегодня готовы первые образцы памяти DDR4, которая также значительно превзойдет предыдущее поколение по всем важным характеристикам.

DDR3L. Что нового?

По сути, в этой памяти все стандартно. Как в обычной «тройке». Но есть одно существенное различие — энергопотребление. В 3L оно равно 1,35 В. Для сравнения, обычная «тройка» потребляет 1,50 В. Это весьма существенно, если говорить о ноутбуках, нетбуках и ультрабуках, то есть о мобильных компьютерах. В их случае энергопотребление играет решающую роль, так как им нужно довольно продолжительное время работать от аккумулятора. Этим и отличаются DDR3 и DDR3L. Разница не такая уж заметная, но существенная.

В последнее время производители мобильных компьютеров используют только энергоэффективные модули «тройки». Поэтому стало возможно заставить ноутбуки работать от батареи дольше, чем это было раньше. Хоть показатели не особо и отличаются. Оперативная память DDR3 и DDR3L, разница в которых тут рассматривается, на данный момент самые приемлемые варианты для персональных компьютеров и ноутбуков. Теперь рассмотрим наиболее популярные модели.

Память DDR3

1. Kingston ValueRAM KVR16N11/8

Планка характеризуется способностью функционировать от напряжения в 1,5 В, имея при этом пропускную способность в PC12800. Из поддерживаемых режимов работы можно выделить 1066 МГц, 800 МГц, 1600 МГц и 1333 МГц, что говорит о функциональности.

Достоинства:

• двухранговое число массивов;
• низкопрофильная структура Low Profile, что позволяет устанавливать ее практически в любое устройство;
• тайминг CAS Latency (CL) равен 11.

Недостатки:

• отсутствие регистров памяти;
• нет профилей Intel XMP.

Средняя тактовая частота модуля памяти составляет 1600 МГц, чего вполне достаточно для обычных, не игровых процессов. В комплекте поставляется 1 модуль, объемом в 8 Гб.

2. HyperX Fury HX318C10FBK2/8

Грамотная конструкция данной планки оперативной памяти с форм-фактором типа DIMM, выдает тактовую частоту на уровне 1866 МГц. Уверенно поддерживает несколько режимов работы, включая 1066 МГц, 800 МГц, 1333 МГц, 1600 МГц и 1866 МГц. В комплекте поставляются 2 планки, каждая из которых имеет объем памяти в 4 Гб.

Достоинства:

• тайминг доступа к данным RAS to CAS Delay tRCD на уровне 11;
• пропускная способность PC14900;
• наличие радиатора охлаждения, что позволяет «разгонять» плату.

Недостатки:

• отсутствие регистровой и ECC-памяти;
• высота профиля 32.8 мм.

Параметр Activate to Precharge Delay (tRAS), показывающий минимальное время активной строки, составляет 32.

3. Patriot Memory VIPER 3 PV316G186C0K

Данный модуль оперативной памяти не имеет низкопрофильной структуры Low Profile, однако отличается низким показателем CAS Latency (CL), что является плюсом. Пропускная способность PC14900 в сочетании с тактовой частотой 1866 МГц делают его универсальным в практическом использовании.

Достоинства:

• регенерация ОЗУ Row Precharge Delay (tRP) на уровне 10;
• наличие встроенного радиатора, что улучшает отведение лишнего тепла;
• функционирование от напряжения 1,5 В;
• схема тайминга 10-11-10-30.

Недостатки:

• высота планки в 41 мм;
• отсутствие подсветки элементов платы.

Модель поддерживает несколько режимов работы устройства, включая 1866 МГц, 800 МГц, 1066 МГц, 1600 МГц и 1333 МГц.

4. AMD R538G1601S2S-UO

Модуль памяти относится к типу DDR3L и характеризуется оптимальной пропускной способностью, равной PC12800. В комплекте поставляется 1 плашка с объемом памяти в 8 Гб. Для работы устройства достаточно напряжения на материнской плате в 1,35 В. Несмотря на относительно невысокую тактовую частоту в 1600 МГц модель сумела достойно себя зарекомендовать в практической эксплуатации.

Достоинства:

• двусторонняя установка чипов;
• суммарный объем памяти — 8 Гб;
• показатель Activate to Precharge Delay (tRAS) на уровне 28.

Недостатки:

отсутствие возможности разгона.

Производитель предоставляет гарантию на плашку 24 месяца, что подтверждает качество ее изготовления.

Можно ли вставить DDR3 в слот DDR4 или наоборот?

Многие люди задаются вопросом совместимости этих двух типов оперативной памяти. Ну какая может быть совместимость DDR3 и DDR4? О чем вы вообще? Если вы посмотрите внимательно на форму самих планок ОЗУ, то вы увидите, что они немного отличаются. Каждое поколение ОЗУ (DDR, DDR2, DDR3 и DDR4) специального немного отличается от остальных. Выемка (ключ), которая расположена на стороне с контактами, на каждом типе памяти находится в разном месте, тем самым препятствуя попыткам вставить планку не в свое гнездо.

Можно ли вставить DDR3 в слот DDR4?

• Вставить планку ОЗУ DDR3 в слот DDR4 нельзя!
• Вставить планку ОЗУ DDR4 в слот DDR3 нельзя, соответственно, тоже!

Есть, правда, один нюанс. Бывает такое, что материнская плата имеет отдельные слоты под память DDR3 и под DDR4. Допустим, вы решили апгрейдить компьютер. Извлекаете память DDR3 из своих слотов и вставляете DDR4 в ДРУГИЕ слоты, в те, которые предназначены именно для оперативки DDR4. По-другому никак!

Если вы вдруг осознали, что вам не хватает ОЗУ на компьютере, то ознакомьтесь с нашими советами на этот счет в статье, которая поможет увеличить оперативную память физически и не только.

Конструкция DDR

Прежде чем определять различия между DDR3 и DDR3L следует ознакомиться с конструкцией ОЗУ типа DDR. Оперативная память собрана на форм-факторе своего предшественника DIMM. Платформу оснастили микросхемами, которые собираются в корпусах TSOP BGA и транзисторов, благодаря чему передача информации осуществлялась как по фронту, так и спаду. Осуществление двойной передачи данных за один такт стало возможным за счет реализации в компьютерной архитектуре технологии 2n Prefetch.

От характеристик оперативной памяти зависит производительность ПК

Развитие компьютерных технологий и внедрение в производство инновационных привело к тому, что микросхемы для модуля оперативного запоминающего устройства типа DDR3 стали изготавливаться только в корпусах BGA. Это же способствовало модернизации транзисторов, и появились новые модели с двойным затвором Dual-gate. Применения данной технологии позволило сократить величину токов утечки и повысить производительность ОЗУ. Так в ходе своего развития энергопотребление блока памяти снижалось: DDR – 2,6 В, DDR2 – 1,8 В и DDR3 – 1,5 В.

Статические и динамические ОЗУ

Существует два типа ОЗУ: статические и динамические.

Элементарной ячейкой статического ОЗУ является триггер. Триггер состоит из двух транзисторных ключей, включенных навстречу друг другу так, что из состояния взаимно противоположны — когда открыт один ключ, второй закрыт и наоборот. Без внешнего сигнала переключения ключи остаются в неизменном состоянии пока на триггер подается питание. Для реализации триггера необходимо как минимум два транзистора на кристалле.

Элементарной ячейкой динамического ОЗУ является конденсатор. Заряженный конденсатор хранит 1, разряженный — 0. В качестве запоминающего конденсатора можно использовать собственную емкость затвора полевого транзистора, таким образом, появляется возможность реализовать ячейку памяти всего на одном транзисторе. Более высокая плотность размещения ячеек памяти на кристалле и определила использование динамической памяти для построения ОЗУ большого объема.

Конденсатор постепенно теряет свой заряд, поэтому его необходимо поддерживать в заряженном состоянии, или< как говорят — регенерировать. Поэтому в динамической памяти, кроме обычных операций чтения и записи, появляется еще и операция регенерации.

Вам обязательно стоит прочитать о том, как выбрать жесткий диск для компьютера.

Усовершенствование памяти третьего поколения

Понятное дело, DDR4 по вольтажу и по всем показателям намного лучше, но она может использоваться только на определенных материнских платах с самыми современными процессорами. Поэтому наиболее востребованными на сегодняшний момент являются планки DDR3

И, представьте себе, для них инженеры нашли возможность снизить напряжение питание аж на 0,15 V! Понимаете насколько это важно?

Собственно так и появилась память DDR3L, имеющая рабочее напряжение 1,35 вольт. Литера L в ее обозначении не что иное как «low» — «пониженное» на 10% электропитание. Так что не путайте ее с «единицей» и, если есть возможность, используйте написание большой буквы.

Как вы поняли, снижение вольтажа дает определенные преимущества и имеет свои особенности. О них мы сейчас и поговорим:

DDR3L – это идеальное решение для ноутбуков. Такую память даже используют в мобильных телефонах

Ну и в ПК ликвидация еще одного источника нагрева – большое и важное дело.
Отпадает необходимость в установке пассивных радиаторов, которые производители вынуждены были устанавливать на самые производительные модули RAM памяти.
Снижение рабочей температуры чипов памяти – это гарантия их стабильной и быстрой работы. Разве не об этом мечтают все пользователи?

Ну и наконец, продвинутым юзерам DDR3L предоставляет большие возможности для разгона компьютера.

Но здесь следует быть особо аккуратными.

Crucial 4GB DDR3 PC3-12800

Еще один бюджетный модуль оперативной памяти стандарта 3L. Его рабочая частота составляет 1600 мегагерц. Рабочее напряжение — 1,35 В. Это стандартно для энергоэффективной памяти. Более ничем выдающимся этот модуль памяти не отличается. Вот только в двухканальном режиме он работает гораздо лучше своих предшественников. Два таких модуля способны заметно поднять производительность любого лэптопа. И в этом их главная заслуга. Стоит эта оперативная память недорого. Поэтому она и является самой распространенной.

Это легендарный производитель модулей оперативной памяти. Все помнят его высокопроизводительные модели для геймерских компьютеров. Но и в бюджетном сегменте Crucial не ударили в грязь лицом

Модули получились производительными, надежными и энергоэффективными, что немаловажно для владельцев ноутбуков. Приятно, что легендарный производитель, наконец, развернулся лицом к любителям лэптопов

Особенности DDR3L

Конструкция планок DDR3L практически не отличается от DDR3. Они также оснащены 240 контактами и обладают такими же размерами, кроме высоты.

Также, данный вид оснащен системой пассивного охлаждения, что позволяет ее разгонять, увеличивает производительность, так как повышается потребление энергии. Модуль памяти не выйдет из строя раньше, чем положено, так как тепло будет рассеиваться и не произойдет перегрев.

Стоит отметить, что с 2012 года на рынке можно встретить модификации этой памяти, разработанные для смартфонов DDR3L-RS.

В маркировке памяти, L – это Low, то есть, низкое потребление энергии. В отличии от DDR3 данный вид памяти требует источник, напряжение которого 1,35 В. Это на 10-15% меньшем чем DDR3 и на 40% меньшем чем DDR2. Благодаря тому, что тепла выделяется меньше, то и пассивное охлаждение не нужно, а это сокращает тайминги и делает работу стабильнее и производительнее. Все остальные характеристики ничем не отличаются от DDR3.

DDR3L нельзя заменить на DDR3 т.к. установка в слот для первого типа приведет к несовместимости и запуск не произойдет. Но в обратном порядке возможна замена, однако плата может нагреваться, так как DDR3 требует больше энергии.

Выводы

В случае с DDR3 памятью и материнской платой поддерживающей низковольтную память, теоретически, можно заставить работать любую память в любой материнской плате, если немного поэкспериментировать с напряжением, частотами и таймингами. Но, лучше использовать именно ту память которая рекомендована для материнской платы и процессора. Так можно сэкономить немало времени и нервов и заниматься за компьютером тем, чем планировалось. А сборку и тестирование нестандартных конфигураций лучше оставить энтузиастам-оверклокерам. Модули DDR3l можно использовать в системных платах рассчитанных на любые типы DDR3.